新华社成都12月4日电(记者吴晓鹰)记者4日从电子科技大学获悉,中国科学院院士、电子科技大学教授陈兴碧4日17时10分在成都因医疗无效去世,享年89岁。

陈兴碧1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江浦江。1952年从同济大学电气工程系毕业后,先后在厦门大学、东南大学和成都电信工程学院(现电子科技大学)工作。他于1999年当选为中国科学院院士,并于2019年当选为国际电工电子工程师协会终身会员。

陈兴碧是中国功率半导体领域的领导者和大师。他一生发表了200多篇学术论文,从中国、美国和其他国家获得了40多项专利。他是世界上第一个提出超结耐压层理论的科学家。他的超结发明专利打破了传统的“硅极限”,被国际学术界誉为“高压功率器件的新里程碑”。

陈兴碧获得了国家技术发明奖和科技进步奖等多项荣誉。2015年,荣获国际电力半导体器件与集成电路年会(IEEE ISPSD)颁发的最高荣誉“国际电力半导体先锋奖”,成为亚太地区第一位获得这一荣誉的科学家。2018年,他入选了第一个IEEE ISPSD名人堂,成为第一个入选名人堂的中国科学家。

责任编辑:钱钟兵

推荐新闻栏目:   头条热门 百度热门  党建理论 搜狗热搜  金融资讯 游戏资讯  国际新闻  国内新闻