封面记者张峥

陈兴碧,中国功率半导体领域的领导者,九三学社成员,中国科学院院士,电子科技大学教授,于12月4日17时10分在四川成都因病去世,享年89岁。

陈兴碧,1931年1月28日出生于上海。他的祖籍是浙江浦江。1947年至1952年,就读于同济大学电气工程系,先后在厦门大学、东南大学和成都电信工程学院(现电子科技大学)工作。他于1999年当选为中国科学院院士,并于2019年当选为IEEE终身研究员。

陈兴碧是中国功率半导体领域的领导者和大师。他发表了200多篇学术论文,并从中国、美国和其他国家获得了40多项专利。他是世界上第一个提出超结耐压层理论的科学家。他的超结发明专利打破了传统的“硅极限”,被誉为“高压功率器件的新里程碑”。发明专利已成功转让和产业化,超结器件全球年市场销售额现已超过10亿美元。陈兴碧获得了多项荣誉,包括国家发明奖、科技进步奖2项和省部级奖励13项。2015年,他被美国电气与电子工程师学会(IEEE ISPSD)授予最高荣誉“国际功率半导体先锋奖”,成为亚太地区第一位获得这一荣誉的科学家。2018年,他入选了第一个IEEE ISPSD名人堂,成为第一个入选名人堂的中国科学家。

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